Утекла информация о спецификациях Qualcomm Snapdragon 835

snapdragon-835-on-galaxy-s8

Ещё не прошло и недели с момента анонса нового флагманского чипсета Qualcomm Snapdragon 835, а уже некоторые его спецификации утекли в сеть. Выше вы можете увидеть документ, который пришёл к нам из Китая, и на котором изображены характеристики вышеупомянутого чипсета вместе с названием смартфона, построенного на его базе.

Итак, первый пункт, привлекающий к себе внимание – число ядер процессора: в отличие от четырехядерных Snapdragon 820/821, новая 835-я модель имеет восемь ядер. Также, из представленного документа стало известно название графического ускорителя – Adreno 540. Кроме того, будущий чипсет поддерживает технологию UFS 2.1 – Universal Flash Storage(технология универсального флеш накопителя), которая, в сравнении со своей предыдущей версией, предлагает значительное улучшение в области защиты данных.

Мы уже знаем, что Snapdragon 835 будет производиться в сотрудничестве с компанией Samsung по её 10 нм тех. процессу. Документ выше предполагает наличие данного сокета в следующем Самсунг флагмане  — Galaxy S8 (ожидается на MWC 2017).

Также, попавшая в наши руки утечка, предполагает выход ещё одного Qualcomm чипсета с названием Snapdragon 660. Данная модель обзаведется восьмью ядрами, будет иметь поддержку UFS 2.1, графический ускоритель Adreno 512 и производиться по 14 нм тех. процессу. Коммерческие поставки Snapdragon 660 ожидаются во второй половине 2017-го года, тогда как 835-й собрат должен появиться уже в первой половине упомянутого года.